ПроисшествияЭкономикаПолитикаСпортКультура и обществоНаукаЗдоровьеНовости в фотографияхОбратная связьКарта сайта
Календарь событий
ПНВТСРЧТПТСБВС
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031   
       
ПОИСК СОБЫТИЙ

Терагерцевый транзистор

Терагерцевый транзистор

Группа исследователей департамента США Национальной ускорительной лаборатории Стэнфордского центра линейного ускорителя создала терагерцевый транзистор

Разработки в области электронных транзисторов на сегодняшний день весьма перспективны, ученые стремятся освоить несколько направлений - снизить энергопотребление и тепловыделение, уменьшить физические размеры, увеличить скорость переключения сигнала.

Эксперимент физиков конечно не дает искомого прорыва, т.к. для удовлетворительной работы транзистора на основе магнетита требуются лабораторные условия. В ходе эксперимента ученым удалось освоить терагерцевую частоту переключения сигнала в прототипе транзистора. Предел тактовой частоты нынешних кремниевых транзисторов ограничен гигагерцами, то есть переключение происходит за миллиардные доли секунды.

Магнетит, при определенных условиях, конечно же, позволяет изменять свое состояние за одну триллионную долю секунды, что как раз и соответствует тактовой частоте в один терагерц. Идеальные условия для транзистора из магнетита - это охлаждение до - 190 градусов по Цельсию и нагрев сверхмощным рентгеновским лазером, частота пульсации которого составляет одну квадриллионную долю секунды. По мнению физиков, чтобы перейти к реальным экспериментам необходимо, чтобы материал мог переключаться с помощью коротковолнового электрического импульса, без использования лазера, как это происходит в «обычных» кремниевых транзисторах.

Вполне вероятно, что следующим кандидатом на замену кремния в транзисторах может стать оксид ванадия. Исследователи надеются найти в природе материал, который будет обладать схожими с магнетитом характеристиками, но при этом его рабочая температура не будет превышать комнатную.


Дата события: 30.07.2013
Место события: США